其次,半浮栅晶体管(SFGT)还可以应用于DRAM领域。DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存储器,广泛应用于计算机内存。其基本单元由1T1C构成,也就是一个晶体管加一个电容的结构。由于其电容需要保持一定电荷量来有效地存储信息,无法像MOSFET那样持续缩小尺寸。业界通常通过挖“深槽”等手段制造特殊结构的电容来缩小其占用的面积,但随着存储密度提升,电容加工的技术难度和成本大幅度提高。因此,业界一直在寻找可以用于制造DRAM的无电容器件技术,而半浮栅晶体管(SFGT)构成的DRAM无需电容器便可实现传统DRAM全部功能,不但成本大幅降低,而且集成度更高,读写速度更快。